摘要：本发明涉及一种宽谱白光ＬＥＤ的量子点有源区结构及其外延生长方法，基于氮化镓ＩＩＩ／Ｖ族化合物半导体功率型发光二极管、应用全固态照明光源的有源区内含铟镓氮－镓氮或铟镓氮－铟镓氮量子点结构的白光功率型宽谱发光二极管ＬＥＤ材料的金属有机化学气相沉积外延生长方法和相关的有源区结构设计。

提供了几种基于ＩｎＧａＮ量子点有源区的新型器件结构设计，并给出了外延条件的核心生长参数如反应源流量大小、Ｖ／ＩＩＩ比、衬底温度等。本发明能实现不含荧光转换、高显色指数、高亮度的ＧａＮ基白光ＬＥＤ照明需求。

同时，本发明技术也适用于（ＣｄＳｅ）ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓｅ／ＺｎＳｅ、（Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ）（Ｓｅ，Ｔｅ）／ＺｎＳｅ、（Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ）（Ｓｅ，Ｔｅ）／ＺｎＳ等ＩＩ／ＶＩ族化合物半导体内含量子点的宽谱功率型发光二极管材料外延生长，其外延生长的主要优化方法与ＩＩＩ／Ｖ族ＩｎＧａＮ量子点外延生长的相同。