集成功率级LED与恒流源电路一体化设计

电路原理设计（图1）使用了两个DIS1020A 浮压恒流集成二极管分为两路恒流驱动各40个串联LED，每路的工作电流为20mA。在硅基板上，采用扩散工艺制作了16个56V/10mA的稳压二极管以吸收、泄放静电，保护LED不会受到静电的击穿而失效。电路中，设计的电容、二极管主要为了吸收来自外部供电电源的谐波、脉冲和其他干扰信号，减少这些干扰信号对产品的影响，提高产品的可靠性和工作环境适应性。

采用硅基板与铜热沉结构设计（图2），80个 LED设计为10×8矩阵结构，每10个LED与一组2个稳压二极管构成一个单元，硅基片的底面为稳压二极管的p区，n区通过铝导电反光层与每组LED的正、负极分别连接在一起，通过合金工艺实现欧姆接触。SMD电容C1，C2，C3和二极管D1设计在外围区域，减少对光的吸收和遮光等不良影响。

为了提高产品的可靠性，采用1mil的金丝进行键合球焊，由于LED数量较多，硅基板的面积较大，导致硅基板中心部位的热量不能及时传到热沉上，致使温度升高造成中心部位的LED发光亮度降低。为此，采用新的合金技术进行铜热沉结构设计，减少了热沉的热阻RΘ和温度梯度dT( x，y)/dL，使硅基板中心部位的热量能够及时传到热沉上，再通过外壳进行散热，以提高产品的可靠性。硅基板为矩形结构，厚度为0.3mm，其热阻可以用下列公式进行描述[1]

试验和批量生产的产品经过使用证明，完全达到设计要求。表1是热阻RΘ、位置x，y 和温度梯度dT(x, y)/dLx，dT(x，y)/d Ly采用光热阻扫描方法[2]测试的结果，以硅基板中心为原点，分别测试X，-X，Y和-Y等距离为1mm的温度。

图3是产品的温度漂移参数△I T与恒定工作电流Io的关系曲线。产品温度漂移的试验环境温度为-50～100℃，以25℃/40mA为参考基准，100℃时的最大温度漂移为1.64μA/℃， -50℃时的最大温度漂移为1.49μA/℃。在正常环境条件（ -25～50℃）下使用，其平均温度漂移为0.94μA/℃，完全满足设计指标和实际使用的要求。

由于功率级LED芯片面积较大，工作时产生的高温难以及时传导出去，使LED芯片及pn结的温度过高，导致发光效率随着功率、温度的增加而急剧下降。因此，在集成功率级LED设计时，采取了高导热率的硅基板结构设计和铜合金技术的热沉设计，使其热阻大幅度降低，产品的发光效率得到提高，平均在18～20 Lm/W。