随着LED性能持续地提高，应用市场也随之急速扩大，隐藏在背后的原因是使用GaN、AllnGaP发光材料的高辉度LED，拥有着长寿命、省电、耐震、低电压驱动等优秀的特色，并且超越灯泡和卤素等，而高发光效率的LED更是在最近几年陆续被研发出来，因此，未来高亮度LED市场的发展，将会更快速与广泛的成长。

其中普及率最明显的就是白光LED，90年代末期在环保节能的背景下更被市场所期望着，同时也刺激了业者迅速研发相关的技术。 就目前而言，白光LED主要的應用包括了手機液晶背光照明和車用內裝照明，單單是這些市場就已經占了LED整體銷售量的25％左右。就目前而言，白光LED主要的应用包括了手机液晶背光照明和车用内装照明，单单是这些市场就已经占了LED整体销售量的25％左右。

另一方面關於照明應用的部份，則處於剛起步的境界。另一方面关于照明应用的部份，则处于刚起步的境界。 一般建築物的照明，往往占了整個消耗電力的20％，在日本，90年代已經超過每年1,000億kWh。一般建筑物的照明，往往占了整个消耗电力的20％，在日本，90年代已经超过每年1,000亿kWh。 所以對於新一代節能型光源的期望相當大，但遺憾的是到目前為止，白光LED還只能夠使用在相當小的範圍。所以对于新一代节能型光源的期望相当大，但遗憾的是到目前为止，白光LED还只能够使用在相当小的范围。 因為像5mm的小型白光LED，無法像電燈泡或者螢光燈那樣，只用一個就能得到使用環境所需的光量。因为像5mm的小型白光LED，无法像电灯泡或者萤光灯那样，只用一个就能得到使用环境所需的光量。 因此如果希望LED能夠跨足到建築照明，在整體技術上則需要更大的突破才行。因此如果希望LED能够跨足到建筑照明，在整体技术上则需要更大的突破才行。

高亮度白光LED基本結構高亮度白光LED基本结构

白光LED基本上有兩種方式。白光LED基本上有两种方式。 一種是多晶片型，一種是單晶片型。一种是多晶片型，一种是单晶片型。 前者是將紅綠藍三種LED封裝在一起，同時使其發光而產生白光，後者是把藍光或者紫光、紫外光的LED作為光源，在配合使用螢光粉發出白光。前者是将红绿蓝三种LED封装在一起，同时使其发光而产生白光，后者是把蓝光或者紫光、紫外光的LED作为光源，在配合使用萤光粉发出白光。 前者的方式，必須將各種LED的特性組合起來，驅動電路比較複雜，後者單晶片型的話，LED只有1種，電路設計比較容易。前者的方式，必须将各种LED的特性组合起来，驱动电路比较复杂，后者单晶片型的话，LED只有1种，电路设计比较容易。 單晶片型進一步分成兩類，一類是發光源使用藍光LED，另一類是使用近紫外和紫外光。单晶片型进一步分成两类，一类是发光源使用蓝光LED，另一类是使用近紫外和紫外光。 現在，市場上的白光LED大多數是藍光LED配合YAG螢光粉。现在，市场上的白光LED大多数是蓝光LED配合YAG萤光粉。

在過去，只有藍光LED使用GaN做為基板材料，但是現在從綠光領域到近紫外光領用的LED，也都開始使用GaN化合物做為材料了。在过去，只有蓝光LED使用GaN做为基板材料，但是现在从绿光领域到近紫外光领用的LED，也都开始使用GaN化合物做为材料了。 並且伴隨著白光LED應用的擴大，市場對其效能的期待也逐漸增加。并且伴随着白光LED应用的扩大，市场对其效能的期待也逐渐增加。 從單純的角度來看，高效率的追求一直都是被市場與業者所期待的。从单纯的角度来看，高效率的追求一直都是被市场与业者所期待的。 但是另一方面，演色也將會是一個重要的性能指標，如果只是做為顯示用途的話，發光色為白色可能就已經足夠了，但是從照明的用途來說，為了達到更高效率，如何實現與自然光接近的顏色就顯得非常必要了。但是另一方面，演色也将会是一个重要的性能指标，如果只是做为显示用途的话，发光色为白色可能就已经足够了，但是从照明的用途来说，为了达到更高效率，如何实现与自然光接近的颜色就显得非常必要了。

GaN作為高亮度LED基材　逐漸普及GaN作为高亮度LED基材　逐渐普及

在技術發展的初期，全球只有2∼3家業者發展及生產GaN LED，但是到今天為止生產業者的數量已經接近10家企業，因此在市場上也展開了激烈的競爭。在技术发展的初期，全球只有2∼3家业者发展及生产GaNLED，但是到今天为止生产业者的数量已经接近10家企业，因此在市场上也展开了激烈的竞争。 與初期相比較之下，儘管今天已經實現了飛躍性的亮度提升，但是技術上即將面臨更困難的門檻，所以現在不管是學術界，還是企業界都在集中精力進行技術和研究研發。与初期相比较之下，尽管今天已经实现了飞跃性的亮度提升，但是技术上即将面临更困难的门槛，所以现在不管是学术界，还是企业界都在集中精力进行技术和研究研发。 以目前GaN LED整體的研發方向來看，大概分為，大電流化、短波長化，以及高效率化等等的發展方向。以目前GaNLED整体的研发方向来看，大概分为，大电流化、短波长化，以及高效率化等等的发展方向。

圖說：至今生產GaN LED的業者數量已接近10家。图说：至今生产GaNLED的业者数量已接近10家。 （資料來源：NICHIA）（资料来源：NICHIA）

如何讓LED支援更大的電流如何让LED支援更大的电流

近年來，業者對於只需一顆就可達到相當亮度的LED研發相當積極，因此在這一方面的技術也就落在如何讓LED能夠支援更大的電流。近年来，业者对于只需一颗就可达到相当亮度的LED研发相当积极，因此在这一方面的技术也就落在如何让LED能够支援更大的电流。 通常30u㎡的LED最大可以驅動30mA的電流，但是這樣的結果還是遠遠無法滿足市場的期望，所以目標是需要將10倍以上的電流，導通到LED元件中。通常30u㎡的LED最大可以驱动30mA的电流，但是这样的结果还是远远无法满足市场的期望，所以目标是需要将10倍以上的电流，导通到LED元件中。 因此當LED的面積尺寸可以擴充到1m㎡時，那麼緊接下來的工作便是如何讓電流值能夠達到350∼500mA，因為驅動電壓是3V多，所以就可以有1W的電力能被流進1m㎡的晶片面積。因此当LED的面积尺寸可以扩充到1m㎡时，那么紧接下来的工作便是如何让电流值能够达到350∼500mA，因为驱动电压是3V多，所以就可以有1W的电力能被流进1m㎡的晶片面积。

而在發光演色的方面，雖然有這麼大的功率輸入到GaN LED中，但是所投入電力的四分之三都無法轉換成光而形成熱量，因此LED就會出現過熱的現象，這也會直接影響到LED的演色結果。而在发光演色的方面，虽然有这么大的功率输入到GaNLED中，但是所投入电力的四分之三都无法转换成光而形成热量，因此LED就会出现过热的现象，这也会直接影响到LED的演色结果。 因為LED元件的基本特性是，如果溫度上升，發光效率就會下降以及造成演色性偏差，所以如何有效的釋放大量產生熱量的放熱技術成為了關鍵，因此將LED裝在熱傳導率大、熱容量大的材料上就成了相當重要的問題，以目前來說大多是使用有價金屬或者陶瓷。因为LED元件的基本特性是，如果温度上升，发光效率就会下降以及造成演色性偏差，所以如何有效的释放大量产生热量的放热技术成为了关键，因此将LED装在热传导率大、热容量大的材料上就成了相当重要的问题，以目前来说大多是使用有价金属或者陶瓷。

短波長帶來勵起光的高能量化　提升螢光粉的發光效率短波长带来励起光的高能量化　提升萤光粉的发光效率

從藍光開始的GaN LED，目前已經成功研發了高輝度綠光LED，開始雖然也有長波長化的研發趨勢，但是因為InN的混晶比提高而導致的結晶性惡化，現在已經逐漸被業界放棄了。从蓝光开始的GaNLED，目前已经成功研发了高辉度绿光LED，开始虽然也有长波长化的研发趋势，但是因为InN的混晶比提高而导致的结晶性恶化，现在已经逐渐被业界放弃了。 另一方面，為了諸如成為雷射代用品等的新型應用研發也開始被考量，所以目前業界對於短波長的研發正在積極進行。另一方面，为了诸如成为雷射代用品等的新型应用研发也开始被考量，所以目前业界对于短波长的研发正在积极进行。 最近日本一些大學的實驗室已經成功地研發出250nm的LED，不過實用性還是有待思考，因為人眼對於波長的接受度約為380nm，所以波長如果比380nm更短時，是無法生產出可視域內的LED，或者會產生低輸出的情況。最近日本一些大学的实验室已经成功地研发出250nm的LED，不过实用性还是有待思考，因为人眼对于波长的接受度约为380nm，所以波长如果比380nm更短时，是无法生产出可视域内的LED，或者会产生低输出的情况。

為了避免遇到前述的問題，目前大多都採用以下的解決方法：为了避免遇到前述的问题，目前大多都采用以下的解决方法：

1.變更發光層結構：不在可視域LED的晶片上採用的GaInN結構，而是採用Eg更大的AlGaN或者AlGaInN。1.变更发光层结构：不在可视域LED的晶片上采用的GaInN结构，而是采用Eg更大的AlGaN或者AlGaInN。
2.回避光吸收損失：在LED的晶片結構中存在GaN或者GaInM層的話，會因為自身將光吸收而無法將光散發出去，所以利用AlGaN層為基礎，來構成出全體結構層會有比較好的成果，或者利用GaN作為重要的n型底層。2.回避光吸收损失：在LED的晶片结构中存在GaN或者GaInM层的话，会因为自身将光吸收而无法将光散发出去，所以利用AlGaN层为基础，来构成出全体结构层会有比较好的成果，或者利用GaN作为重要的n型底层。
3.減少結晶缺陷的：短波長LED中結晶缺陷的密度會對光輸出和壽命早成很大的影響。3.减少结晶缺陷的：短波长LED中结晶缺陷的密度会对光输出和寿命早成很大的影响。

如果能夠將上述的三個課題順利的解決，相信利用LED作為一般照明的實用距離又能大幅度的縮短。如果能够将上述的三个课题顺利的解决，相信利用LED作为一般照明的实用距离又能大幅度的缩短。 以目前來說，GaN白光LED的效率已經可以超過了白熱電燈泡和鹵素燈（15∼25lm/W），但是為了能夠超過擁有壓倒性光亮輸出相大的日光燈（50∼80lm/W以上），就需要更大幅的效率提高和光量的飛躍性增加。以目前来说，GaN白光LED的效率已经可以超过了白热电灯泡和卤素灯（15∼25lm/W），但是为了能够超过拥有压倒性光亮输出相大的日光灯（50∼80lm/W以上），就需要更大幅的效率提高和光量的飞跃性增加。 為了能達到與日光燈相同的光源特性，利用螢光粉發光的混色形成的白光化技術，就成為關鍵的因素。为了能达到与日光灯相同的光源特性，利用萤光粉发光的混色形成的白光化技术，就成为关键的因素。 如果充分利用LED的效率，並且能夠實現短波長化的話，利用勵起光的高能量化，相信螢光粉的發光效率也會大幅攀升。如果充分利用LED的效率，并且能够实现短波长化的话，利用励起光的高能量化，相信萤光粉的发光效率也会大幅攀升。

圖說：如果充分利用LED的效率，並且能夠實現短波長化的話，利用勵起光的高能量化，相信螢光粉的發光效率也會大幅攀升。图说：如果充分利用LED的效率，并且能够实现短波长化的话，利用励起光的高能量化，相信萤光粉的发光效率也会大幅攀升。 （資料來源：NICHIA）（资料来源：NICHIA）

在長晶面得到均一的品質才是關鍵在长晶面得到均一的品质才是关键

所謂的內部發光效率是指電子變換成內光的比例。所谓的内部发光效率是指电子变换成内光的比例。 可以說是LED中心部份的發光效率。可以说是LED中心部份的发光效率。 但是往往因為結晶缺陷的因素，嚴重的影響了LED的發光效率。但是往往因为结晶缺陷的因素，严重的影响了LED的发光效率。 當GaN長晶時，因為使用在基板上的藍寶石基板和GaN單結晶件的格子定數差、熱膨脹係數的差距，使得長晶方向出現了非常高密度的遷移缺陷。当GaN长晶时，因为使用在基板上的蓝宝石基板和GaN单结晶件的格子定数差、热膨胀系数的差距，使得长晶方向出现了非常高密度的迁移缺陷。

一般來說所產生的密度是在109c㎡以上，這樣的密度如果是出現在短波長LED和雷射二極體時就會成為致命傷。一般来说所产生的密度是在109c㎡以上，这样的密度如果是出现在短波长LED和雷射二极体时就会成为致命伤。 為了減少這種轉位密度的方法大致上有2種，一種是不讓轉位貫通到長成方向、另一種是抑制轉位現象的出現。为了减少这种转位密度的方法大致上有2种，一种是不让转位贯通到长成方向、另一种是抑制转位现象的出现。 在不讓轉位貫通到長成方向這一方面，可以使用Patterning加工的基板，在垂直長成時，使之往水平方向長成，將缺陷的長成邊朝向水平方向彎曲，垂直方向實現貫通結果，來降低轉位現象，這樣的做法雖然大概能達到107c㎡以下的低轉位，但是實際量產的話，要在長晶面得到均一的品質才是關鍵。在不让转位贯通到长成方向这一方面，可以使用Patterning加工的基板，在垂直长成时，使之往水平方向长成，将缺陷的长成边朝向水平方向弯曲，垂直方向实现贯通结果，来降低转位现象，这样的做法虽然大概能达到107c㎡以下的低转位，但是实际量产的话，要在长晶面得到均一的品质才是关键。 後者的方法是將結晶缺陷密度低的Ⅲ族氮化物（nitride）基板，或者低缺陷的Ⅲ族氮化物使用在已經成膜的基板上。后者的方法是将结晶缺陷密度低的Ⅲ族氮化物（nitride）基板，或者低缺陷的Ⅲ族氮化物使用在已经成膜的基板上。

原來在Ⅲ族氮化物裡是不存在單結晶Bulk，當使用藍寶石基板進行hetero-epitaxial生成，轉位高密度發生的根源就在於這種異種基板的使用，當然使用Bulk基板是最佳的解決方法。原来在Ⅲ族氮化物里是不存在单结晶Bulk，当使用蓝宝石基板进行hetero-epitaxial生成，转位高密度发生的根源就在于这种异种基板的使用，当然使用Bulk基板是最佳的解决方法。 因此，在各種製作方法上的研發、量產化都在積極的開發中，也有一些已經開始進入銷售的階段了。因此，在各种制作方法上的研发、量产化都在积极的开发中，也有一些已经开始进入销售的阶段了。 另一方面，與終極基板Bulk基板相對的，能夠實現其類似功能的是Template基板。另一方面，与终极基板Bulk基板相对的，能够实现其类似功能的是Template基板。 目前好幾個業者都開始小量生產，這些雖然沒有像Bulk基板成本那麼高，但是成本也不低，因為考慮到高成本和效率，只能使用在雷射和電子設備，UV LED等上面。目前好几个业者都开始小量生产，这些虽然没有像Bulk基板成本那么高，但是成本也不低，因为考虑到高成本和效率，只能使用在雷射和电子设备，UVLED等上面。

儘管結晶缺陷非常多，但是GaN系LED元件為什麼能夠達到高亮度，並且晶片不會迅速劣化，這些結構現象還是仍舊被工程師與學者在研究當中，但是並沒有一個完整的理論出現。尽管结晶缺陷非常多，但是GaN系LED元件为什么能够达到高亮度，并且晶片不会迅速劣化，这些结构现象还是仍旧被工程师与学者在研究当中，但是并没有一个完整的理论出现。 所以為了達到材料最大的限度，發揮出GaN的極限，就有必需確定發光構造的理想的層構成，以及構造設計。所以为了达到材料最大的限度，发挥出GaN的极限，就有必需确定发光构造的理想的层构成，以及构造设计。

如果不能實現好的長晶　一切都是白費功夫如果不能实现好的长晶　一切都是白费功夫

結晶生成對於LED元件製造來說，是相當關鍵的技術，同時也是高效率化研發的關鍵。结晶生成对于LED元件制造来说，是相当关键的技术，同时也是高效率化研发的关键。 無論怎麼好的結構層設計，如果不能實現好的長晶，一切都是白費功夫。无论怎么好的结构层设计，如果不能实现好的长晶，一切都是白费功夫。 在初期，量產的GaN LED是face-up型的元件，在p側的接觸電極是採用透光性的薄膜電極，透過這個薄膜電極發光，而材料上則是使用Au合金電極，但是雖然具有透光性的特性，但是實際的透光度並不能滿足實際應用的需求，因為通過電極的光係數，或者反射而無法散發出的光相當的多，使得發光效率一直無法獲得提升。在初期，量产的GaNLED是face-up型的元件，在p侧的接触电极是采用透光性的薄膜电极，透过这个薄膜电极发光，而材料上则是使用Au合金电极，但是虽然具有透光性的特性，但是实际的透光度并不能满足实际应用的需求，因为通过电极的光系数，或者反射而无法散发出的光相当的多，使得发光效率一直无法获得提升。 因此隨後研發人員考量，因為face-up型的LED元件反射率很高，必須採用穩定性高的材料作為電極，將光從藍寶石基板側發出，來提高發光通量。因此随后研发人员考量，因为face-up型的LED元件反射率很高，必须采用稳定性高的材料作为电极，将光从蓝宝石基板侧发出，来提高发光通量。

通常的LED晶片有必要透過有機材料來固定，往往伴隨著這種封裝材料的熱量出現，會使得光的品質出現劣化，產生光輸出降低的問題。通常的LED晶片有必要透过有机材料来固定，往往伴随着这种封装材料的热量出现，会使得光的品质出现劣化，产生光输出降低的问题。 另一方面flip-chip的封裝之所以可以達到高發光效率，因為是將結晶層置於下方，利用bump金屬材料封裝在基板上，所以能夠有效率的把結晶層內的熱量排除，而且因為不需要連接材料，所以穩定性也相當高，用來作為照明用的大電流、大型元件，這是非常好的封裝設計。另一方面flip-chip的封装之所以可以达到高发光效率，因为是将结晶层置于下方，利用bump金属材料封装在基板上，所以能够有效率的把结晶层内的热量排除，而且因为不需要连接材料，所以稳定性也相当高，用来作为照明用的大电流、大型元件，这是非常好的封装设计。

圖說：Flip Chip的封裝之所以可以達到高發光效率，因為是將結晶層置於下方，利用bump金屬材料封裝在基板上，所以能夠有效率的把結晶層內的熱量排除。图说：FlipChip的封装之所以可以达到高发光效率，因为是将结晶层置于下方，利用bump金属材料封装在基板上，所以能够有效率的把结晶层内的热量排除。 （資料來源：CREE）（资料来源：CREE）

提高電極的可視光透過率　增加光通量提高电极的可视光透过率　增加光通量

最近也有工程師開始利用ITO作為透明導電膜，這是因為ITO電極的可視光透過率非常高，而且電極材料自身也不大會出現光吸收現象而造成光損耗，而且在光學設計上，本身折射率是GaN折射率和Mold材料樹脂的中間值，所以能夠大幅增加輸出效率。最近也有工程师开始利用ITO作为透明导电膜，这是因为ITO电极的可视光透过率非常高，而且电极材料自身也不大会出现光吸收现象而造成光损耗，而且在光学设计上，本身折射率是GaN折射率和Mold材料树脂的中间值，所以能够大幅增加输出效率。 因為GaN系結晶折射率很高，所以在LED元件結晶內部發出的光，並沒有透出而是在內部反射，最終被材料所吸收。因为GaN系结晶折射率很高，所以在LED元件结晶内部发出的光，并没有透出而是在内部反射，最终被材料所吸收。 例如n-GaN層／藍寶石基板介面的臨界角是47度，p-GaN層／mold材料的epitaxial樹脂介面的臨界角是38度，一般LED的輸出效率至少是30％。例如n-GaN层／蓝宝石基板介面的临界角是47度，p-GaN层／mold材料的epitaxial树脂介面的临界角是38度，一般LED的输出效率至少是30％。 因此如果能夠將發光層發出的光全部透出的話，很有可能可以將LED的亮度增加到目前兩倍以上。因此如果能够将发光层发出的光全部透出的话，很有可能可以将LED的亮度增加到目前两倍以上。

LED構造逐漸固定化之後的一兩年，關於這一方面的討論相當多，包括了n-GaN層／藍寶石基板介面以及p-GaN層表面等等。LED构造逐渐固定化之后的一两年，关于这一方面的讨论相当多，包括了n-GaN层／蓝宝石基板介面以及p-GaN层表面等等。 在n-GaN層／藍寶石基板介面上，最有代表性的研究是透過介面加工，製造出光學的凹凸，並且在所形成凹凸的藍寶石基板上生成結晶。在n-GaN层／蓝宝石基板介面上，最有代表性的研究是透过介面加工，制造出光学的凹凸，并且在所形成凹凸的蓝宝石基板上生成结晶。 介面作成凹凸形狀的理由是，這樣能夠大幅減少全反射損失，如果在結晶生成初期，在加上促進水平方向長成，就能夠減少結晶的缺陷，而使得發光效率大幅度的提升。介面作成凹凸形状的理由是，这样能够大幅减少全反射损失，如果在结晶生成初期，在加上促进水平方向长成，就能够减少结晶的缺陷，而使得发光效率大幅度的提升。

另外，也有業者正在開發，當藍寶石基板上進行長晶後，除去藍寶石基板以及物件介面的技術。另外，也有业者正在开发，当蓝宝石基板上进行长晶后，除去蓝宝石基板以及物件介面的技术。 這是因為在結晶生成後會形成反射性的電極，在這個電極上結合基板材料，然後再用雷射lift-off法除去藍寶石基板，在露出的n-GaN層上形成n接觸電極，當然這樣的話，n-GaN層／mold樹脂間介面的臨界角會比較小，使得光輸出效率非常差，為了克服這一個缺點，就必須在n-GaN表面增加光學的設計，因為設計和生產的自由度都很高，所以可能會有很大幅度的輸出效率提高，也會有flip chip的優點。这是因为在结晶生成后会形成反射性的电极，在这个电极上结合基板材料，然后再用雷射lift-off法除去蓝宝石基板，在露出的n-GaN层上形成n接触电极，当然这样的话，n-GaN层／mold树脂间介面的临界角会比较小，使得光输出效率非常差，为了克服这一个缺点，就必须在n-GaN表面增加光学的设计，因为设计和生产的自由度都很高，所以可能会有很大幅度的输出效率提高，也会有flipchip的优点。

在p-GaN層表面技術方面，目前有相當多業者投入開發Photonic結晶技術，所謂的Photonic結晶就是在光的波長週期性擁有折射率分佈的構造，能夠實現一般物質空間種無法實現的光的應用。在p-GaN层表面技术方面，目前有相当多业者投入开发Photonic结晶技术，所谓的Photonic结晶就是在光的波长周期性拥有折射率分布的构造，能够实现一般物质空间种无法实现的光的应用。 將p-GaN層進行蝕刻製程，在最表面形成Photonic結晶，能夠大幅提高光輸出效率，但是這是要求度非常高的微細製程技術，而且在對p-GaN層加工時，會造成p-GaN層破壞，所以目前還是停留在研發的階段。将p-GaN层进行蚀刻制程，在最表面形成Photonic结晶，能够大幅提高光输出效率，但是这是要求度非常高的微细制程技术，而且在对p-GaN层加工时，会造成p-GaN层破坏，所以目前还是停留在研发的阶段。 Photonic結晶技術被發現後，在各領域的應用有著相當令人激賞的表現，一直是倍受研發者所關心的一項技術，因為多是期望能夠迴避日亞化學的藍光LED加螢光粉製技術專利。Photonic结晶技术被发现后，在各领域的应用有着相当令人激赏的表现，一直是倍受研发者所关心的一项技术，因为多是期望能够回避日亚化学的蓝光LED加萤光粉制技术专利。

其他的高效率化技術其他的高效率化技术

利用增加電流也可以達到高亮度，但是單純的將元件大型化，透過提高電流實現高光度的話，是不能提高效率的，因為雖然將LED變的更亮，但是耗電量也隨之增加，並且也會損及LED的使用壽命，但是可以透過減少元件的熱負荷，來進一步提高發光效率，因為即使是一般尺寸的LED，可以因為在封裝基板上使用熱傳導性好的材料，來實現高效率化。利用增加电流也可以达到高亮度，但是单纯的将元件大型化，透过提高电流实现高光度的话，是不能提高效率的，因为虽然将LED变的更亮，但是耗电量也随之增加，并且也会损及LED的使用寿命，但是可以透过减少元件的热负荷，来进一步提高发光效率，因为即使是一般尺寸的LED，可以因为在封装基板上使用热传导性好的材料，来实现高效率化。 GaN LED相關的研發，已經將基板的結構發展的相當成熟，接下來進一步的就是開發出新一代高效率LED。GaNLED相关的研发，已经将基板的结构发展的相当成熟，接下来进一步的就是开发出新一代高效率LED。 因為目前GaN LED的內部發光效率已經到達相當高的水準，但是光輸出效率還有很大的空間可以提升，如果能夠實現新一代設計的話，可以期待大幅度的光亮度提升成果，雖然有成本，壽命的諸多問題，相信新一代的超高亮度LED的量產時代已經不遠了，同時也縮短了照明領域應用的時間距離。因为目前GaNLED的内部发光效率已经到达相当高的水准，但是光输出效率还有很大的空间可以提升，如果能够实现新一代设计的话，可以期待大幅度的光亮度提升成果，虽然有成本，寿命的诸多问题，相信新一代的超高亮度LED的量产时代已经不远了，同时也缩短了照明领域应用的时间距离。